パワー半導体（IGBT SiC）は炭化ケイ素（SiC）技術に基づく絶縁ゲートバイポーラトランジスタは、電気自動車で重要な役割を果たしています。これらの高度なパワーデバイスは、バッテリーパックを充電するために交流を直流に変換し、電気モーターを駆動して車両を前進させるために交流に戻ってバッテリーに格納された直流を変換するなど、重要な電力変換タスクを実行する責任があります。また、交流電力の周波数変換と電圧変化を正確に調整する能力を持ち、電気自動車の電力システムと充電システムの効率的で安定した動作を保証します。
異なる電圧レベルのIGBTに対するお客様のニーズに応じて、当社は成熟したテストソリューションを提供します。
